一种磁控溅射装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种磁控溅射装置,包括真空室,所述真空室内设置有可旋转的旋转平台,所述旋转平台上安装有罩壳,所述罩壳内设置有基材,所述罩壳外侧的真空室内设置有靶材,所述真空室内部后侧设置有水循环装置,所述水循环装置的一端从真空室的一侧穿过,且水循环装置的这一端设置有加热及控制装置,所述水循环装置的另一端从真空室的另一侧穿过,所述罩壳内设置有第一温度传感器。本实用新型结构设计合理,使用方法简单,利用该装置既可以主动控制磁控溅射电流电压时间等工艺参数,也可以被动的获取环境工艺参数以及基片膜厚,从而为调整磁控溅射工艺参数得到标准基材厚度奠定良好基础。
基本信息
专利标题 :
一种磁控溅射装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021119634.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-16
授权号 :
CN212610878U
授权日 :
2021-02-26
发明人 :
潘俊杰陈功侯东东
申请人 :
常州市乐萌压力容器有限公司
申请人地址 :
江苏省常州市新北区孟河镇港西大道16号
代理机构 :
南京知识律师事务所
代理人 :
王昊
优先权 :
CN202021119634.6
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35 C23C14/54
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2021-02-26 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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