一种磁控溅射基台与磁控溅射设备
授权
摘要
本申请提供了一种磁控溅射基台与磁控溅射设备，涉及基片刻蚀技术领域。该磁控溅射基台包括边缘环与用于承载待加工基板的夹盘，边缘环环绕于待加工基板的外周且与夹盘连接，边缘环的表面高于待加工基板的表面，边缘环的表面设置有Al2O3保护层。本申请提供的磁控溅射基台与磁控溅射设备具有使用寿命长，使用成本低的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种磁控溅射基台与磁控溅射设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021575838.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-31
授权号 ：
CN212741513U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
游士贤
申请人 ：
泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张欣欣
优先权 ：
CN202021575838.0
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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