磁控溅射靶结构及设备

专利权的终止

摘要

本实用新型公开一种磁控溅射靶结构及磁控溅射靶设备。本实用新型所述的磁控溅射靶结构包括：传动装置，至少两个转动轴和多个磁靶条；所述传动装置缠绕于所述转动轴上，形成传动装置式传动结构；所述磁靶条并排布设于所述传动装置上。本实用新型所述的磁控溅射靶设备包括除上述磁控溅射靶结构外，还包括：靶材，位于所述传动装置式传动结构的外侧。通过本实用新型，由于采用传动装置带动磁体规律性的运动，形成平行均匀磁场，因此能够使靶材消耗非常均匀，避免了局部损耗过大的问题，从而提高了靶材的利用率；延长了靶材的使用寿命。

基本信息

专利标题：

磁控溅射靶结构及设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820079516.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-03-21

授权号：

CN201162043Y

授权日：

2008-12-10

发明人：

张文余赵鑫

申请人：

北京京东方光电科技有限公司

申请人地址：

100176北京市经济技术开发区西环中路8号

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人：

刘芳

优先权：

CN200820079516.X

主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

C23C14/35

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C23

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C14/00

通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆

C23C14/22

以镀覆工艺为特征的

C23C14/34

溅射

C23C14/35

利用磁场的，例如磁控溅射

法律状态

2018-04-13 ：

专利权的终止

专利权有效期届满IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20080321
授权公告日 : 20081210

2015-07-29 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101718574289
IPC(主分类) : C23C 14/35
专利号 : ZL200820079516X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京京东方光电科技有限公司
变更后权利人 : 京东方科技集团股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100176 北京市经济技术开发区西环中路8号
变更后权利人 : 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 北京京东方光电科技有限公司
登记生效日 : 20150707

2008-12-10 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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