一种磁控溅射设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种磁控溅射设备，该磁控溅射设备包括溅射室、位于该溅射室内相对设置的用于承载基片的基片台和溅射阴极、溅射电源以及设置在溅射室内的电子偏转磁场生成装置，该电子偏转磁场生成装置包括极性相反的第一磁极和第二磁极，该第一磁极和第二磁极在所述基片和所述溅射阴极之间形成水平方向的电子偏转磁场，该电子偏转磁场用于使溅射过程中朝向基片运动的电子发生偏转。本实用新型所提供的磁控溅射设备可以使溅射过程中朝向基片运动的电子发生偏转，从而降低到达基片的电子数量，进而降低电子对基片所形成的损伤。
基本信息
专利标题 ：
一种磁控溅射设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020183262.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-19
授权号 ：
CN211420299U
授权日 ：
2020-09-04
发明人 ：
张诚
申请人 ：
三河市衡岳真空设备有限公司
申请人地址 ：
河北省廊坊市三河市燕郊高新区全景工业园三期33E
代理机构 ：
北京元合联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李非非
优先权 ：
CN202020183262.7
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-09-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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