一种磁控溅射用的绝缘块及磁控溅射设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种磁控溅射用的绝缘块及磁控溅射设备，包括同轴心设置的上垫块和下垫块，上垫块的底面和下垫块顶面分别设置同轴心的上支撑柱和下支撑柱，上支撑柱和下支撑柱可拆卸的固定在一起，在上支撑柱外侧的上垫块底面上同轴心的设置若干条上绝缘环，在下支撑柱外侧的下垫块顶面上同轴心的设置若干条下绝缘环，上垫块固定到下垫块时，上绝缘环和下绝缘环依次交替排列，上绝缘环和下绝缘环的端部交叠设置。本实用新型所述的上绝缘环和下绝缘环依次交替排布，形成了迷宫式密封结构，从而保证上垫块和下垫块的绝缘效果。
基本信息
专利标题 ：
一种磁控溅射用的绝缘块及磁控溅射设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920734946.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-20
授权号 ：
CN210193987U
授权日 ：
2020-03-27
发明人 ：
齐士新
申请人 ：
天津南玻节能玻璃有限公司
申请人地址 ：
天津市武清区新技术产业园区武清开发区泉丰路12号
代理机构 ：
天津企兴智财知识产权代理有限公司
代理人 ：
韩敏
优先权 ：
CN201920734946.9
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C03C17/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-03-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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