改良的磁溅射圆柱靶
专利权的终止
摘要
一种改良的磁溅射圆柱靶，包括靶头(1)和靶体(2)，所述靶头(1)位于靶体(2)之上，所述靶体(2)包括圆筒状的靶材(21)和位于靶材内的长形靶芯(22)，所述靶芯(22)包括冷却导水管槽(23)和设置在冷却导水管槽(23)外壁上的首尾相接的永久磁铁(24)，所述永久磁铁(24)仅设置冷却导水管槽(23)外壁的预定区域内，所述靶头(1)带动所述靶材(21)旋转。本实用新型可以实现定向溅射，可大大地节约靶材，从而降低被溅射工件的成本。
基本信息
专利标题 ：
改良的磁溅射圆柱靶
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820094550.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-06-06
授权号 ：
CN201209166Y
授权日 ：
2009-03-18
发明人 ：
王佰忠
申请人 ：
王佰忠
申请人地址 ：
518000广东省深圳市龙岗区大鹏街道龙旗湾高新产业园王博纳米热能技术有限公司
代理机构 ：
深圳市千纳专利代理有限公司
代理人 ：
胡清方
优先权 ：
CN200820094550.4
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2018-06-22 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20080606
授权公告日 : 20090318
终止日期 : 20170606
申请日 : 20080606
授权公告日 : 20090318
终止日期 : 20170606
2009-03-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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