溅射源和溅射装置
授权
摘要
本发明的目的在于不破坏有机薄膜表面地在其上形成溅射膜。在配置了靶(113a)的筒状侧壁(103)的开口中配置有粒子通路(130a)，在其两侧配置有第1、第2捕集磁铁(121a、122a)，在粒子通路(130a)中形成磁力线。在欲通过粒子通路(130a)的喷溅粒子中，只有中性粒子直行，因此，在成膜对象物的有机薄膜表面上形成溅射膜。由于带电粒子、电子因磁力线的作用而其飞行飞行弯曲，不会到达有机薄膜表面上，所以对有机薄膜的破坏较小。
基本信息
专利标题 ：
溅射源和溅射装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1834285A
申请号 ：
CN200610059671.0
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
根岸敏夫伊藤正博
申请人 ：
株式会社爱发科
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张天安
优先权 ：
CN200610059671.0
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2010-10-06 ：
授权
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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