溅射装置和使用了该溅射装置的成膜方法
实质审查的生效
摘要
具备：成膜室(11)，其中，在基板(S)形成膜；减压装置(19)，其使上述成膜室内为减压气氛；圆盘状的基板架(12)，其可旋转地设置于上述成膜室内，在一个主表面具有可自转地保持上述基板的基板保持部(14)；驱动装置(13)，其使上述基板架旋转；成膜工艺区(R1)，其形成于上述成膜室内的与上述基板架的外周区域对应的空间，设有溅射电极(16)；反应工艺区(R2)，其形成于上述成膜室内的与上述基板架的中心区域对应的空间，设有等离子体产生装置(17)；和气体导入装置(18)，其向上述成膜室内导入放电气体和反应气体。
基本信息
专利标题 ：
溅射装置和使用了该溅射装置的成膜方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114375346A
申请号 ：
CN202180005205.7
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-02-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大胡嘉规宫内充祐青山贵昭
申请人 ：
株式会社新柯隆
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
王博
优先权 ：
CN202180005205.7
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/50 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20210210
申请日 : 20210210
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
