用离子束反应溅射方法成膜的装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
用离子束反应溅射成膜的装置，主要用于制作多成份膜和多成份多层膜。本发明在装置的靶室中设有2～4个溅射离子源，果用聚集离子源，以基片为中心分布于基片周围。每个离子源前方相应有一组装置有4块不同材料的靶片的转动靶。对着基片设有一个用于辐照基片的无灯丝阳极辐照离子源，如用高频离子源，2～4个溅射离子源与每组有4种材料的靶配合，能作出每个周期厚度内有4层，每层成份完全不重复的结构可调多层膜。辐照离子源能长期工作于反应气体中。
基本信息
专利标题 ：
用离子束反应溅射方法成膜的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1042572A
申请号 ：
CN88109745.4
公开（公告）日 ：
1990-05-30
申请日 ：
1988-11-09
授权号 ：
CN1017354B
授权日 ：
1992-07-08
发明人 ：
郭华聪肖定全谢必正邵启文朱居木肖志力
申请人 ：
四川大学
申请人地址 ：
四川省成都市九眼桥
代理机构 ：
四川大学专利事务所
代理人 ：
刘金蓉
优先权 ：
CN88109745.4
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
1995-12-20 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-03-24 ：
授权
1992-07-08 ：
审定
1990-05-30 ：
公开
1989-05-31 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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2、
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