成膜装置及成膜方法
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摘要
本发明提供成膜装置及成膜方法。在由成膜室(44)、和备有与基板(S)相向的催化源(48)的催化室(46)构成的真空腔室(42)中，成膜室(44)和催化室(46)通过开口部(47)相连，基板载置在成膜室内，设该基板周缘部和开口部的周缘部之间的最短距离直线与基板的夹角为ω，基板周缘部和催化源边缘部的最短距离直线与基板的夹角是θ时，催化源配置在满足ω≥θ的位置。使用该成膜装置，可以防止催化源产生的自由基失活，高效地进行原料气体和自由基的反应，形成所需的膜。
基本信息
专利标题 ：
成膜装置及成膜方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101052744A
申请号 ：
CN200680001157.X
公开（公告）日 ：
2007-10-10
申请日 ：
2006-03-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
五户成史原田雅通加藤伸幸
申请人 ：
株式会社爱发科
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
何腾云
优先权 ：
CN200680001157.X
主分类号 ：
C23C16/452
IPC分类号 ：
C23C16/452 C23C16/44
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/448
产生反应气流的方法，例如通过母体材料的蒸发或升华
C23C16/452
输入反应室前的活化反应气流法，例如通过电离或加入活性组分
法律状态
2011-06-01 ：
授权
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-10-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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