成膜装置和成膜方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种成膜方法，其特征在于，包括：使用二价Cu的原料物质，在基板上形成第一阶段的Cu膜的工序；和使用一价Cu的原料物质，在所述第一阶段的Cu膜上形成第二阶段的Cu膜的工序。
基本信息
专利标题 ：
成膜装置和成膜方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101006194A
申请号 ：
CN200680000633.6
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2006-03-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉井直树松泽兴明小岛康彦
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200680000633.6
主分类号 ：
C23C16/18
IPC分类号 ：
C23C16/18 C23C16/44 H01L21/285 H01L21/3205 H01L23/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/06
以金属材料的沉积为特征的
C23C16/18
自有机金属化合物
法律状态
2016-05-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101659972082
IPC(主分类) : C23C 16/18
专利号 : ZL2006800006336
申请日 : 20060322
授权公告日 : 20090805
终止日期 : 20150322
号牌文件序号 : 101659972082
IPC(主分类) : C23C 16/18
专利号 : ZL2006800006336
申请日 : 20060322
授权公告日 : 20090805
终止日期 : 20150322
2009-08-05 ：
授权
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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