成膜方法和成膜装置
专利权的终止
摘要
本发明提供一种成膜方法，在形成多元系金属氧化物膜时，能够提高含有元素的组成比和膜厚等的再现性。该成膜方法为，向可抽真空的处理容器(4)内供给将多种有机金属原料气化所产生的有机金属原料气体，在被处理体(W)的表面形成多元系金属氧化物膜，其中，在开始对上述被处理体进行成膜处理之前，通过将模拟被处理体搬入上述处理容器(4)内，并流入上述有机金属原料气体，进行至少相当于3次的模拟成膜处理。因此，在形成多元系金属氧化膜时，就能够提高含有元素的组成比和膜厚等的再现性。
基本信息
专利标题 ：
成膜方法和成膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1993814A
申请号 ：
CN200680000505.1
公开（公告）日 ：
2007-07-04
申请日 ：
2006-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
松本贤治迫田智幸那须胜行池田岳
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200680000505.1
主分类号 ：
H01L21/316
IPC分类号 ：
H01L21/316 C23C16/40
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
H01L21/316
由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
法律状态
2014-03-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101576522208
IPC(主分类) : H01L 21/316
专利号 : ZL2006800005051
申请日 : 20060111
授权公告日 : 20090916
终止日期 : 20130111
号牌文件序号 : 101576522208
IPC(主分类) : H01L 21/316
专利号 : ZL2006800005051
申请日 : 20060111
授权公告日 : 20090916
终止日期 : 20130111
2009-09-16 ：
授权
2007-08-29 ：
实质审查的生效
2007-07-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN100541737C.PDF
PDF下载
2、
CN1993814A.PDF
PDF下载
