成膜系统和成膜方法
公开
摘要
本发明提供一种成膜系统和成膜方法，能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜。成膜系统的成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，其支承基板；基板移动机构，其使基板直线地移动；以及控制部。控制部以使基板直线地移动的方式进行控制，同时控制来自第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部的溅射粒子的释放，从第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部释放出来的溅射粒子在穿过孔穿过，并向基板上堆积。
基本信息
专利标题 ：
成膜系统和成膜方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293156A
申请号 ：
CN202111498049.0
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2019-08-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
品田正人户岛宏至
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111498049.0
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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