成膜方法
公开
摘要
一种用于在基板上选择性地进行成膜的成膜方法，其包括：准备工序、第1成膜工序、第2成膜工序和第1去除工序。在准备工序中，准备在表面露出第1膜和第2膜的基板。在第1成膜工序中，通过向基板上供给具有包含氟和碳的官能团、且用于成膜为抑制形成第3膜的自组装化单分子膜的化合物，从而在第1膜上成膜为自组装化单分子膜。在第2成膜工序中，在第2膜上成膜为第3膜。在第1去除工序中，通过向基板的表面照射离子和活性物质中的至少任意一者，从而去除形成于自组装化单分子膜附近的第3膜。另外，第3膜是比第1膜更容易与自组装化单分子膜中所含的氟和碳结合而形成挥发性化合物的膜。
基本信息
专利标题 ：
成膜方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114303230A
申请号 ：
CN202080060096.4
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2020-08-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大内健次东云秀司河野有美子池进一
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202080060096.4
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/3065 C23C16/04 C23C16/455
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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