成膜装置和成膜方法
专利权的终止
摘要
本发明所涉及的成膜装置可以高速且重现性良好地形成减少氧欠缺的金属氧化膜或金属氮化膜，同时实现装置的小型化。本发明所涉及的成膜装置，具有将基板(2)保持在内部的成膜室(3)和将液体原料直接喷射到成膜室(3)内的喷射阀(4)，上述液体原料为含有金属化合物和低沸点有机化合物的混合溶液，使上述成膜室(3)内的压力大于与上述低沸点有机化合物混合前的上述金属化合物的蒸气压，且小于上述混合溶液的蒸气压。
基本信息
专利标题 ：
成膜装置和成膜方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101142662A
申请号 ：
CN200680008202.4
公开（公告）日 ：
2008-03-12
申请日 ：
2006-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
千田二郎大岛元启石田耕三富永浩二
申请人 ：
学校法人同志社;株式会社堀场制作所
申请人地址 ：
日本国京都府
代理机构 ：
上海市华诚律师事务所
代理人 ：
徐申民
优先权 ：
CN200680008202.4
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
2016-04-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101658325401
IPC(主分类) : H01L 21/31
专利号 : ZL2006800082024
申请日 : 20060310
授权公告日 : 20090812
终止日期 : 20150310
号牌文件序号 : 101658325401
IPC(主分类) : H01L 21/31
专利号 : ZL2006800082024
申请日 : 20060310
授权公告日 : 20090812
终止日期 : 20150310
2009-08-12 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2008-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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