成膜方法和成膜装置以及存储介质
授权
摘要
在形成例如氮化硅膜时，在成膜处理后，利用与该成膜处理对应的清洗方案对反应容器内进行清洗处理，以除去导致气体或颗粒产生的粘附在反应容器内的膜的表层部，从而减少气体或颗粒的产生。使多片晶片W保持在晶舟25中、将其搬入反应容器2内，以进行使用例如Si2Cl2气体和NH3气体作为成膜气体的成膜方案1的成膜处理。接着，自动选择与该成膜处理对应的清洗方案1，根据该清洗方案1对反应容器2进行清洗处理。根据每次成膜处理的种类准备清洗方案，自动选择与各成膜处理对应的清洗方案以进行清洗处理，由此，可以在抑制产生不必要的清洗时间的状态下，进行与各成膜处理对应的适当的清洗处理。
基本信息
专利标题 ：
成膜方法和成膜装置以及存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1808690A
申请号 ：
CN200510130390.5
公开（公告）日 ：
2006-07-26
申请日 ：
2005-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
长谷部一秀冈田充弘
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200510130390.5
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/31 H01L21/205 C23C16/44 C23C16/455
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2009-05-06 ：
授权
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2006-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN100485860C.PDF
PDF下载
2、
CN1808690A.PDF
PDF下载
