半导体处理用成膜方法、成膜装置和存储介质

专利权的终止

摘要

本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，其包含向处理区域内供给处理气体的处理气体供给系统。上述处理气体供给系统包括：将第一和第三处理气体混合、形成混合气体的气体混合罐；从气体混合罐向处理区域供给混合气体的混合气体供给管线；具有不经过气体混合罐而将第二处理气体供给到处理区域的第二处理气体供给管线的第二处理气体供给系统；分别设置在混合气体供给管线和第二处理气体供给管线上的第一和第二开关阀。控制部控制第一和第二开关阀，使得以脉冲状向处理区域交替供给混合气体和第二处理气体。

基本信息

专利标题：

半导体处理用成膜方法、成膜装置和存储介质

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1831192A

申请号：

CN200610058179.1

公开（公告）日：

2006-09-13

申请日：

2006-03-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

长谷部一秀冈田充弘金採虎李丙勋周保华

申请人：

东京毅力科创株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

优先权：

CN200610058179.1

主分类号：

C23C16/513

IPC分类号：

C23C16/513 C23C16/52 C23C16/448 H01L21/205

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C23

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C16/00

通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺

C23C16/44

以镀覆方法为特征的

C23C16/50

借助放电的

C23C16/513

采用等离子流

法律状态

2022-02-25 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C23C 16/513
申请日 : 20060310
授权公告日 : 20110629
终止日期 : 20210310

2011-06-29 ：

授权

2008-01-02 ：

实质审查的生效

2007-01-17 ：

发明专利申请公布说明书更正

更正卷 : 22
号 : 37
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
误 : 缺少优先权第二条
正 : 2006.01.11 JP 2006-004192

2006-09-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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