基板处理方法、成膜方法、成膜装置和计算机程序
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种基板处理方法，是在基板的基底材料的表面上形成Cu膜前对该基板实施的基板处理方法，其特征在于，包括：准备形成有Cu膜的基板的准备工序；对该基板进行规定的处理，使所述基板的基底材料表面的结晶性显示出与该Cu膜的晶格不匹配小的取向性的处理工序。
基本信息
专利标题 ：
基板处理方法、成膜方法、成膜装置和计算机程序
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101053072A
申请号 ：
CN200680001098.6
公开（公告）日 ：
2007-10-10
申请日 ：
2006-03-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉井直树松泽兴明小岛康彦
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200680001098.6
主分类号 ：
H01L21/3205
IPC分类号 ：
H01L21/3205 H01L21/285
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
法律状态
2016-05-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101659965378
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利号 : ZL2006800010986
申请日 : 20060322
授权公告日 : 20091104
终止日期 : 20150322
号牌文件序号 : 101659965378
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利号 : ZL2006800010986
申请日 : 20060322
授权公告日 : 20091104
终止日期 : 20150322
2009-11-04 ：
授权
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-10-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
