膜处理单元、基板处理装置和基板处理方法
授权
摘要
一边由旋转卡盘保持基板一边旋转基板，向基板喷出涂敷液。从基板向外侧飞散的涂敷液由外杯接收。为了清洗外杯，从杯清洗喷嘴喷出的清洗液通过第一引导部向外杯的内周面喷出。由此，使附着于外杯的涂敷液及其固化物等溶解，并从外杯去除。接着，从杯清洗喷嘴喷出的金属用去除液通过第二引导部向外杯的内周面喷出。由此，使残留于外杯的金属成分溶解，并从外杯去除。
基本信息
专利标题 ：
膜处理单元、基板处理装置和基板处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108352313A
申请号 ：
CN201680065775.4
公开（公告）日 ：
2018-07-31
申请日 ：
2016-10-27
授权号 ：
CN108352313B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
田中裕二浅井正也春本将彦金山幸司
申请人 ：
株式会社斯库林集团
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋晓宝
优先权 ：
CN201680065775.4
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 H01L21/027
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2018-08-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/304
申请日 : 20161027
申请日 : 20161027
2018-07-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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