膜处理单元以及基板处理装置
授权
摘要
在待机座的喷嘴容纳孔容纳有喷嘴。在该状态下，从多个喷出口向喷嘴的外周面喷出清洗液。由此，附着于喷嘴的涂敷液及其固化物等被溶解，从喷嘴除去。接着，从多个喷出口向喷嘴的外周面喷出金属用除去液。由此，残存于喷嘴的金属成分被溶解，从喷嘴除去。进而，从多个喷出口向喷嘴的外周面喷出纯水，从而冲洗附着于喷嘴的金属用除去液。
基本信息
专利标题 ：
膜处理单元以及基板处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108352302A
申请号 ：
CN201680065516.1
公开（公告）日 ：
2018-07-31
申请日 ：
2016-10-27
授权号 ：
CN108352302B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
田中裕二浅井正也春本将彦金山幸司
申请人 ：
株式会社斯库林集团
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
向勇
优先权 ：
CN201680065516.1
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 B05C5/00 B05C11/10 H01L21/304
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2018-08-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/027
申请日 : 20161027
申请日 : 20161027
2018-07-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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