基板处理方法及基板处理装置
实质审查的生效
摘要
保持有具有第1面(S1)及与第1面(S1)相反的第2面(S2)的基板(WF)。在基板(WF)的第2面(S2)上配置有被加压的臭氧水(LQ)。臭氧水在用以进行基板(WF)的处理的使用点被加热。
基本信息
专利标题 ：
基板处理方法及基板处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342048A
申请号 ：
CN202080061195.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-08-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
鳅场真树村元僚宗德皓太难波敏光吉原直彦
申请人 ：
株式会社斯库林集团
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈彦
优先权 ：
CN202080061195.4
主分类号 ：
H01L21/3105
IPC分类号 ：
H01L21/3105 H01L21/311 H01L21/027 B08B3/08 B08B3/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3105
申请日 : 20200805
申请日 : 20200805
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
