成膜装置和成膜方法
专利权的终止
摘要

本发明提供一种成膜装置,其特征在于,具有:内部能够抽真空的纵型的筒状的处理容器;多段地保持多个被处理体,并且能够插拔于前述处理容器内的被处理体保持机构;设在前述处理容器的周围的加热机构;向前述处理容器内供给不含卤素的硅烷类气体的硅烷类气体供给机构;向前述处理容器内供给氮化气体的氮化气体供给机构;通过等离子体使前述氮化气体活性化的活性化机构;以及为了在前述被处理体上形成规定的薄膜,按照一边同时向前述处理容器内供给前述硅烷类气体和前述氮化气体一边使前述氮化气体活性化的方式,控制前述硅烷类气体供给机构、前述氮化气体供给机构和前述活性化机构的控制机构。

基本信息
专利标题 :
成膜装置和成膜方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1837404A
申请号 :
CN200610065825.7
公开(公告)日 :
2006-09-27
申请日 :
2006-03-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
松浦广行
申请人 :
东京毅力科创株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 :
龙淳
优先权 :
CN200610065825.7
主分类号 :
C23C16/513
IPC分类号 :
C23C16/513  C23C16/34  C23C16/448  C23C16/52  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/513
采用等离子流
法律状态
2017-05-10 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101718979549
IPC(主分类) : C23C 16/513
专利号 : ZL2006100658257
申请日 : 20060323
授权公告日 : 20100721
终止日期 : 20160323
2010-07-21 :
授权
2008-01-02 :
实质审查的生效
2006-09-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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