成膜装置、成膜方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种能够可靠地得到多个膜图案的成膜装置及成膜方法。本发明的成膜装置,其特征在于,具有:掩模部件,其由硅构成并具有所定图案的第1开口部(31);磁性部件(4),其由磁性材料构成并具备第(2)开口部(41),以在该第(2)开口部(31)的俯视内侧配设上述第1开口部的方式与上述掩模部件(3)对位而成;基板夹持用部件(1),其在与上述磁性部件(4)之间从该磁性部件(4)侧依次夹持上述掩模部件(3)和被成膜基板(2),同时通过在该磁性部件(4)之间所产生的磁力将上述掩模部件(3)和上述被成膜基板(2)密接。
基本信息
专利标题 :
成膜装置、成膜方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1834282A
申请号 :
CN200610005914.2
公开(公告)日 :
2006-09-20
申请日 :
2006-01-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
四谷真一金丸真二
申请人 :
精工爱普生株式会社
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
李香兰
优先权 :
CN200610005914.2
主分类号 :
C23C14/04
IPC分类号 :
C23C14/04 C23C18/06 H01L21/768 H01L21/283 H01L21/3205 H05B33/10
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物
法律状态
2017-03-08 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101707181035
IPC(主分类) : C23C 14/04
专利号 : ZL2006100059142
申请日 : 20060119
授权公告日 : 20100526
终止日期 : 20160119
号牌文件序号 : 101707181035
IPC(主分类) : C23C 14/04
专利号 : ZL2006100059142
申请日 : 20060119
授权公告日 : 20100526
终止日期 : 20160119
2010-05-26 :
授权
2006-11-22 :
实质审查的生效
2006-09-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1834282A.PDF
PDF下载