半导体成膜设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体成膜设备，工艺腔包括多个成膜区域，各成膜区域分布在工艺腔的边缘区域并形成一个环绕结构；在环绕结构的内部形成有传输板，传输板包括数量等于成膜区域的数量的机械手臂；在各成膜区域中包括有基座，在各基座上设置有升降顶针，通过升降顶针的上升和下降使晶圆从机械手臂上顶起或放置，使晶圆和机械手臂直接接触。本实用新型能避免工艺腔的传输板传输晶圆时产生碰撞并避免由此产生的颗粒污染。
基本信息
专利标题 ：
半导体成膜设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921305692.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-13
授权号 ：
CN210575851U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
祝家伟周智东
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN201921305692.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677 H01L21/687 C23C16/54 C23C16/458
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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