半导体处理用的成膜方法及装置
授权
摘要
本发明是在可选择地供给包含硅烷系气体的第一处理气体、包含氮化物气体或氮氧化物气体的第二处理气体与包含烃气体的第三处理气体的处理区域内，在被处理基板上由CVD而形成绝缘膜。该成膜方法交互具有第一工序、第二工序、第三工序与第四工序。其中所述第一工序对所述处理区域供给第一及第三处理气体，另一方面对所述处理区域停止所述第二处理气体的供给；所述第二工序停止对所述处理区域的第一、第二、及第三处理气体的供给；所述第三工序对所述处理区域供给第二处理气体，另一方面对所述处理区域停止所述第一及第三处理气体的供给；所述第四工序停止对所述处理区域的第一、第二、及第三处理气体的供给。
基本信息
专利标题 ：
半导体处理用的成膜方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1831191A
申请号 ：
CN200610056982.1
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周保华长谷部一秀
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200610056982.1
主分类号 ：
C23C16/513
IPC分类号 ：
C23C16/513 C23C16/52 C23C16/448 H01L21/205
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/513
采用等离子流
法律状态
2009-10-28 ：
授权
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2007-01-17 ：
发明专利申请公布说明书更正
更正卷 : 22
号 : 37
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
误 : 缺少优先权第二条
正 : 2006.01.11 JP 2006-004191
号 : 37
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
误 : 缺少优先权第二条
正 : 2006.01.11 JP 2006-004191
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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