成膜方法及半导体装置的制造方法
实质审查的生效
摘要
提出在基体上形成掺杂有铋并且具有半导体或导体的特性的氧化物膜的成膜方法。该成膜方法具有下述工序：一边将上述基体加热，一边将包含上述氧化物膜的构成元素的氧化物膜材料和铋化合物溶解而得到的溶液的雾供给至上述基体的表面的工序。通过使用该成膜方法，能够在基体上形成掺杂有铋并且具有半导体或导体的特性的氧化物膜。
基本信息
专利标题 ：
成膜方法及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114341409A
申请号 ：
CN202080060896.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-01-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
永冈达司西中浩之吉本昌广田原大祐
申请人 ：
株式会社电装;国立大学法人京都工芸纤维大学
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
周欣
优先权 ：
CN202080060896.6
主分类号 ：
C30B29/16
IPC分类号 ：
C30B29/16 C23C16/40 H01L21/368
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/16
申请日 : 20200109
申请日 : 20200109
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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