半导体装置及半导体装置的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明目的是提供恢复损失低且具备高耐压的半导体装置。本发明的半导体装置，其特征在于，具备：(a)具有表面和背面的第1导电型的半导体基板；(b)绝缘栅极型晶体管，具备：表面形成的第1导电型的发射极区；表面形成的第2导电型的基极区；表面上，隔着绝缘膜与基极区相对的栅极；表面上与发射极区连接的发射极；(c)背面形成的第2导电型的集电极区；(d)背面上与集电极区相对设置的集电极；(e)表面和背面间与集电极区共同包围绝缘型晶体管的第2导电型的分离区，集电极区的厚度在17～50微米的范围内。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812122A
申请号 ：
CN200510118820.1
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金田充高桥英树
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨凯
优先权 ：
CN200510118820.1
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L21/331
法律状态
2013-12-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101554526903
IPC(主分类) : H01L 29/739
专利号 : ZL2005101188201
申请日 : 20051028
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20121028
号牌文件序号 : 101554526903
IPC(主分类) : H01L 29/739
专利号 : ZL2005101188201
申请日 : 20051028
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20121028
2009-05-06 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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