半导体装置及半导体装置的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明目的是提供恢复损失低且具备高耐压的半导体装置。本发明的半导体装置,其特征在于,具备:(a)具有表面和背面的第1导电型的半导体基板;(b)绝缘栅极型晶体管,具备:表面形成的第1导电型的发射极区;表面形成的第2导电型的基极区;表面上,隔着绝缘膜与基极区相对的栅极;表面上与发射极区连接的发射极;(c)背面形成的第2导电型的集电极区;(d)背面上与集电极区相对设置的集电极;(e)表面和背面间与集电极区共同包围绝缘型晶体管的第2导电型的分离区,集电极区的厚度在17~50微米的范围内。
基本信息
专利标题 :
半导体装置及半导体装置的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1812122A
申请号 :
CN200510118820.1
公开(公告)日 :
2006-08-02
申请日 :
2005-10-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
金田充高桥英树
申请人 :
三菱电机株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
杨凯
优先权 :
CN200510118820.1
主分类号 :
H01L29/739
IPC分类号 :
H01L29/739 H01L21/331
法律状态
2013-12-18 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101554526903
IPC(主分类) : H01L 29/739
专利号 : ZL2005101188201
申请日 : 20051028
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20121028
号牌文件序号 : 101554526903
IPC(主分类) : H01L 29/739
专利号 : ZL2005101188201
申请日 : 20051028
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20121028
2009-05-06 :
授权
2006-09-27 :
实质审查的生效
2006-08-02 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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