半导体装置、半导体装置的制造方法
授权
摘要
具备：基板；半导体激光器部，其通过在该基板之上层叠包含有源层在内的多个层而形成；邻接部，其是光调制器或者光波导，通过在该基板之上层叠包含芯层在内的多个层而形成，通过与该半导体激光器部对接接合而与该半导体激光器部相接。特征在于，就该半导体激光器部与该邻接部对接接合的半导体装置而言，至少该半导体激光器部的与该邻接部相接的部分被无序化。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置、半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110622374A
申请号 ：
CN201780090807.0
公开（公告）日 ：
2019-12-27
申请日 ：
2017-05-19
授权号 ：
CN110622374B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
河原弘幸
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
何立波
优先权 ：
CN201780090807.0
主分类号 ：
H01S5/026
IPC分类号 ：
H01S5/026
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-01-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/026
申请日 : 20170519
申请日 : 20170519
2019-12-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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