半导体装置的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种能在防止分离不良的同时降低寄生电容的半导体装置的制造方法。在SOI层(106)、分离氧化膜(110)以及栅电极(116)上形成氧化膜(122)。并且在氧化膜(122)上形成氮化膜(124)。接着通过只在氮化膜(124)上进行各向异性刻蚀，在栅电极(116)的两侧面形成侧壁(126)。即，不进行氧化膜(122)的刻蚀。接着，通过越过氧化膜(122)注入N型杂质，在SOI层(106)上主面内形成源漏极(128)。此时，通过调整注入能量使得杂质到达埋入氧化膜(104)，从而形成源漏极(128)并使其与埋入氧化膜(104)相接。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1763923A
申请号 ：
CN200510113853.7
公开（公告）日 ：
2006-04-26
申请日 ：
2005-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
一法师隆志
申请人 ：
株式会社瑞萨科技
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
浦柏明
优先权 ：
CN200510113853.7
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/265
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2010-01-13 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-19 ：
实质审查的生效
2006-04-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1763923A.PDF
PDF下载
