半导体装置及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明中，MIS型晶体管具有：形成在MIS型半导体基板(100)的主面上的栅绝缘膜(101)；形成在该栅绝缘膜(101)上的栅电极(102)；和，形成在半导体基板(100)的栅电极(102)的下方的P型沟道扩散层(103)。沟道扩散层(103)含有碳作为杂质。从而能够实现通过令沟道扩散层中的杂质浓度曲线陡峭且浅结合化来抑制短沟道效果、并且通过具有充分的活性化浓度的低电阻的沟道扩散层来维持高驱动力的微细设备。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1763973A
申请号 ：
CN200510107547.2
公开（公告）日 ：
2006-04-26
申请日 ：
2005-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
野田泰史
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200510107547.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2010-01-13 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-10-10 ：
实质审查的生效
2006-04-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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