半导体装置的制造装置以及制造方法

专利权的终止

摘要

一种半导体装置的制造装置，其制成适合通过凸块接合半导体芯片和基板的凸块形状而有益于提高生产性，以及一种半导体装置的制造方法，使基板的位置识别精度和凸块检测精度提高，由此使生产性扩大。至于半导体装置的制造装置，其包含平整化机构部，对设在基板和半导体芯片中至少一方上的凸块的顶部施加压力，而使凸块顶部平整化；以及接合机构部，通过由此平整化机构部而使顶部平整化的凸块，接合基板和半导体芯片，并且平整化机构部具备凸块识别照相机，其可拍摄凸块；平整化工具，其包含对凸块顶部加压的加压面；以及驱动机构，其具备在凸块识别照相机所检测出的凸块位置上移动调节平整化工具，并且将平整化工具的加压面加压到凸块的加压机构。

基本信息

专利标题：

半导体装置的制造装置以及制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1790650A

申请号：

CN200510114965.4

公开（公告）日：

2006-06-21

申请日：

2005-11-16

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

池谷之宏大谷和巳芝田元二郎宫本雄介

申请人：

株式会社东芝

申请人地址：

日本东京

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司

代理人：

寿宁

优先权：

CN200510114965.4

主分类号：

H01L21/60

IPC分类号：

H01L21/60