本发明提供一种能够实现高集成度的半导体装置及其制造方法。根据本发明一个实施例的多芯片模块包括：具有第一焊盘的第一半导体芯片；具有第二焊盘的第二半导体芯片，所述第二焊盘比第一焊盘更薄；以及与所述第一焊盘和第二焊盘中的每一个相连的焊线，所述第一焊盘与所述焊线的第一焊接侧端部相连，所述第二焊盘与所述焊线的第二焊接侧端部相连。