半导体装置及其制造方法
授权
摘要
一种半导体装置及其制造方法，本发明的目的是不用观察其剖面也能够确认形成在半导体衬底上的开口部的形成状态。本发明的半导体装置，从衬底背面形成开口部，使形成在半导体衬底(1)上的焊盘电极(3)露出，并通过该开口部在所述焊盘电极(3)上形成配线层(10)而构成，其特征在于，具有用于监视所述开口部的形成状态的监视开口部(6b)。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1755917A
申请号 ：
CN200510107031.8
公开（公告）日 ：
2006-04-05
申请日 ：
2005-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龟山工次郎铃木彰
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200510107031.8
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L23/12 H01L23/48 H01L25/00 H01L25/065 H01L21/768 H01L21/60 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2009-03-18 ：
授权
2007-10-10 ：
实质审查的生效
2006-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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