半导体装置及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明的半导体装置在与在三阱上形成的第三N型阱(18)的外围连接的区域上，将与第三阱的导电型相反的杂质导入形成第四P型阱(20)。此时，使导入的杂质浓度，比在形成第三N型阱(18)时所导入的杂质浓度低。这样通过形成第四P型阱(20)，由于提高了第三N型阱(18)和第四P型阱(20)之间的接点耐压，因此能够降低给半导体基板施加的基准电位。并且通过控制使基准电位变低从而能够抑制闩锁现象的产生。从而提供一种具有抑制闩锁现象产生的三阱构造的半导体装置。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783459A
申请号 ：
CN200510125400.6
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-11-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
北原明直
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本国大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200510125400.6
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L27/04 H01L21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2014-01-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101560123341
IPC(主分类) : H01L 23/00
专利号 : ZL2005101254006
申请日 : 20051114
授权公告日 : 20080827
终止日期 : 20121114
号牌文件序号 : 101560123341
IPC(主分类) : H01L 23/00
专利号 : ZL2005101254006
申请日 : 20051114
授权公告日 : 20080827
终止日期 : 20121114
2008-08-27 ：
授权
2006-08-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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