半导体制造装置和半导体器件的制造方法
授权
摘要
本发明提供半导体制造装置和半导体器件的制造方法。解决如下课题：若在筒夹保持件内置磁铁，则有时磁力向外部泄漏，对传感器等的周边磁路造成影响。半导体制造装置具备：筒夹保持件，其利用磁铁保持筒夹；和头部，其在前端设置有该筒夹保持件，利用所述筒夹吸附并拾取裸芯片。所述筒夹保持件具备：屏蔽部，其设置于所述磁铁的上方，对所述磁铁的磁场进行屏蔽；和通过部，其设置于所述磁铁的下方，使所述磁铁的磁场通过。
基本信息
专利标题 ：
半导体制造装置和半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108987291A
申请号 ：
CN201810531504.4
公开（公告）日 ：
2018-12-11
申请日 ：
2018-05-29
授权号 ：
CN108987291B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
高野隆一牧浩五十岚伸之田中裕也
申请人 ：
捷进科技有限公司
申请人地址 ：
日本山梨县
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
陈伟
优先权 ：
CN201810531504.4
主分类号 ：
H01L21/52
IPC分类号 ：
H01L21/52 H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/52
半导体在容器中的安装
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-01-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/52
申请日 : 20180529
申请日 : 20180529
2018-12-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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