半导体装置及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种半导体装置及其制造方法。在具有贯通电极的半导体装置中，防止保护膜及绝缘膜的剥离，提高半导体装置的可靠性。在半导体装置(100)的角部形成用于防止绝缘膜(17)、保护层(23)的剥离的剥离防止层(30)。剥离防止层(30)配置于角部以外的半导体装置(10)的空隙例如球状导电端子(24)之间，从而进一步提高剥离防止效果。其剖面结构在形成于半导体衬底(10)背面的绝缘膜(17)上形成剥离防止层(30)，覆盖该绝缘膜(17)及剥离防止层(30)形成由抗焊料剂等构成的保护层(23)。在剥离防止层(30)利用电解镀敷法形成时，具有由势垒籽晶层(20)和上层的铜层(25)构成的层积结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1755916A
申请号 ：
CN200510106863.8
公开（公告）日 ：
2006-04-05
申请日 ：
2005-09-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梅本光雄龟山工次郎铃木彰
申请人 ：
三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200510106863.8
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L23/12 H01L23/48 H01L25/00 H01L25/065 H01L21/768 H01L21/60 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2021-09-03 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/00
申请日 : 20050926
授权公告日 : 20090819
终止日期 : 20200926
申请日 : 20050926
授权公告日 : 20090819
终止日期 : 20200926
2009-08-19 ：
授权
2007-10-10 ：
实质审查的生效
2006-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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