半导体装置及其制造方法
实质审查的生效
摘要
半导体装置包含第一和第二氮化物基半导体层、掺杂的氮化物基半导体层、多个带负电离子、源极电极以及漏极电极。所述带负电离子选自高度电负性基团且分布在多个耗尽区内，所述耗尽区从所述掺杂的氮化物基半导体层向下延伸且位于栅极电极下方。任何一对相邻耗尽区彼此分离。所述源极电极安置在所述第二氮化物基半导体层上方且与所述耗尽区间隔开。所述漏极电极安置在所述第二氮化物基半导体层上方且与所述耗尽区间隔开。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114270532A
申请号 ：
CN202180004173.9
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-11-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郝荣晖何川何清源黄敬源
申请人 ：
英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
代理机构 ：
深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王琴
优先权 ：
CN202180004173.9
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/06 H01L21/335
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20211112
申请日 : 20211112
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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