半导体装置及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明的半导体装置是通过粘合材料将半导体元件搭载在电路基板上。进而，通过粘合材料将具备外部端子连接部的连接用电路基板搭载在半导体元件的上表面，将连接用电路基板的下表面和电路基板的上表面利用导电体端子相连接。然后，将电路基板和连接用电路基板之间通过密封树脂进行密封。由此，实现一种小而薄的半导体装置，其中，对于用于与层叠在上一级的半导体装置或电子部件的连接的外部连接用端子，其在配置上的制约较少，能够提高安装密度，并且散热性能优良。

基本信息

专利标题：

半导体装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1815733A

申请号：

CN200610005140.3

公开（公告）日：

2006-08-09

申请日：

2006-01-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

丸山朋代矢野祐司

申请人：

夏普株式会社

申请人地址：

日本大阪市

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

浦柏明

优先权：

CN200610005140.3

主分类号：

H01L25/00

IPC分类号：

H01L25/00 H01L23/488 H01L21/60