半导体装置及其制造方法

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本发明的目的是实现在给定区域内可靠地进行测试探针的接触和焊接方法。半导体装置100具有：探针标记111形成区域；焊盘110，具有焊接区域113；及与焊盘110分离的检查标记120。在该构造中，能够根据检查标记120的平面形状来识别探针标记111形成区域和焊接区域113。

基本信息

专利标题：

半导体装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819168A

申请号：

CN200610006463.4

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2006-02-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

田边昭人

申请人：

恩益禧电子股份有限公司

申请人地址：

日本神奈川

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

梁晓广

优先权：

CN200610006463.4

主分类号：

H01L23/482

IPC分类号：

H01L23/482 H01L23/544 H01L21/28 H01L21/60

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/48

用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置

H01L23/482

由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的

法律状态

2018-01-02 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : H01L 23/482
变更事项 : 专利权人
变更前 : 瑞萨电子株式会社
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本东京

2010-12-29 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101057786794
IPC(主分类) : H01L 23/482
专利号 : ZL2006100064634
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川

2008-10-15 ：

授权

2006-10-11 ：

实质审查的生效

2006-08-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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