半导体装置及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种半导体装置的制造方法，谋求提高半导体装置及其制造方法的可靠性。本发明的半导体装置，其特征在于：具有通过第1绝缘层(2)在半导体基板(1)上形成的焊盘电极(3)、和以从上述半导体基板(1)的背面到达上述焊盘电极3表面的方式形成的通孔(8)，上述通孔(8)，由以接近上述焊盘电极(3)部分的开口径比接近上述半导体基板1背面部分宽的方式形成的第1开口部分(7A)，和与上述第1开口部分(7A)连接，并以接近上述焊盘电极(3)表面部分的开口径比接近上述半导体基板(1)的表面部分窄的方式在上述第1绝缘层(2)上形成的第2开口部分(7B)构成。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841718A
申请号 ：
CN200610054752.1
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龟山工次郎铃木彰冈山芳央梅本光雄
申请人 ：
三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
申请人地址 ：
日本国大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200610054752.1
主分类号 ：
H01L23/482
IPC分类号 ：
H01L23/482 H01L21/28 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/482
由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的
法律状态
2022-02-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H05K 1/11
申请日 : 20060310
授权公告日 : 20081029
终止日期 : 20210310
申请日 : 20060310
授权公告日 : 20081029
终止日期 : 20210310
2008-10-29 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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