半导体装置及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明提供半导体装置及其制造方法，在芯片尺寸封装的半导体装置中，为得到由缝隙孔(80)将半导体衬底(60)分离的结构，而需要由树脂层(78)在同一平面支承固定，但由于和绝缘膜(74)，且具有均匀的厚度，故存在还不能得到足够的强度的实用上的大的问题点。本发明的半导体装置具有，半导体衬底，其具有第一区域(12)及第二区域(13、14)；切割槽(30)，其将第一区域和第二区域分离；阶梯部分(31)，其设于与切割槽邻接的半导体衬底(10)的第一区域及第二区域表面，且使半导体衬底露出；树脂层，其包括所述阶梯部分在半导体衬底的所述第一区域及第二区域表面一体地支承所述半导体衬底，提高阶梯部分和树脂层(34)的密封度。

基本信息

专利标题：

半导体装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1841717A

申请号：

CN200610009256.4

公开（公告）日：

2006-10-04

申请日：

2006-02-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

安藤守

申请人：

三洋电机株式会社

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200610009256.4

主分类号：

H01L23/482

IPC分类号：

H01L23/482 H01L23/31 H01L21/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/48

用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置

H01L23/482

由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的

法律状态

2022-01-25 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/482
申请日 : 20060215
授权公告日 : 20081203
终止日期 : 20210215

2008-12-03 ：

授权

2006-12-06 ：

实质审查的生效

2006-10-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载