制造半导体装置的方法
实质审查的生效
摘要
一种制造半导体装置的方法包括：在第一晶圆上形成第一接合层，并在第一接合层上形成蚀刻遮罩；使用蚀刻遮罩蚀刻第一接合层的边缘部，并暴露出第一晶圆的一部分；移除蚀刻遮罩；以及将第二晶圆固定于第一接合层。蚀刻遮罩并不只用于部分蚀刻第一接合层及第一晶圆，还用于保护接合层，使得接合层的表面能维持平滑。因此，在晶圆接合工艺中，接合层提供优异的接合效果，以便于将第二晶圆固定在第一晶圆上。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496745A
申请号 ：
CN202111210535.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄圣富
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市泰山区南林路98号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛恒
优先权 ：
CN202111210535.8
主分类号 ：
H01L21/18
IPC分类号 ：
H01L21/18 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/18
申请日 : 20211018
申请日 : 20211018
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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