半导体装置的制造方法和制造装置
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摘要
课题在于提高半导体装置制造中的生产率。具体而言，半导体装置的制造方法将半导体芯片(4)和基板(1)电连接，在半导体芯片(4)的第2主面上形成有凸块(5)，在基板(1)的第1主面上形成有电极焊盘(2)，该半导体装置的制造方法构成为具有如下的工序：(A)临时配置工序，得到借助粘接剂(7)使凸块(5)与电极焊盘(2)对置而成的临时配置体(8)；(B)检查工序，对临时配置体(8)中的半导体芯片(4)的位置偏移进行检查，确定位置偏移半导体芯片，该位置偏移半导体芯片的位置偏移不在规定的范围内；(C)位置修正工序，若存在位置偏移半导体芯片，则使该位置偏移半导体芯片移动而对位置进行修正；以及(D)连接工序，对临时配置体(8)中的半导体芯片(4)进行加热、加压而将该半导体芯片(4)的凸块(5)与基板(1)的电极焊盘(2)电连接，并且使粘接剂(7)硬化。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法和制造装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109155261A
申请号 ：
CN201780032715.7
公开（公告）日 ：
2019-01-04
申请日 ：
2017-03-21
授权号 ：
CN109155261B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
朝日昇仁村将次
申请人 ：
东丽工程株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
于靖帅
优先权 ：
CN201780032715.7
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L25/065 H01L25/07 H01L25/18 H05K3/34
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2019-02-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20170321
申请日 : 20170321
2019-01-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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