半导体结构、驱动芯片和半导体结构的制造方法
授权
摘要
本发明提供了一种半导体结构、驱动芯片和半导体结构的制造方法，其中，所述半导体结构的隔离部件可以阻挡大部分的所述第一区域的第一载流子流到所述第二区域中，以及阻挡大部分第二区域中的第二载流子流到所述第一区域中，因此所述第一区域和第二区域中可以不设置的P型隔离环和N型隔离环，从而可以有效的减小所述隔离区域的面积，从而降低了整个所述半导体结构的面积。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构、驱动芯片和半导体结构的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110429083A
申请号 ：
CN201910753221.9
公开（公告）日 ：
2019-11-08
申请日 ：
2019-08-15
授权号 ：
CN110429083B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
杜益成王猛喻慧
申请人 ：
矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201910753221.9
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L21/822
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2019-12-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/06
申请日 : 20190815
申请日 : 20190815
2019-11-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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