半导体芯片及其制造方法、半导体芯片的电极结构及其形成方法...
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明的半导体芯片具备：半导体基板；突起，从该半导体基板的表面隆起且由金属构成；和合金膜，覆盖该突起的表面整个区域，由用于构成突起的金属和其他种类的金属所形成的合金构成。
基本信息
专利标题 ：
半导体芯片及其制造方法、半导体芯片的电极结构及其形成方法以及半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101088152A
申请号 ：
CN200580044858.7
公开（公告）日 ：
2007-12-12
申请日 ：
2005-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
仲谷吾郎
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200580044858.7
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2009-12-16 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-06 ：
实质审查的生效
2007-12-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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