本公开提供了一种半导体结构及其形成方法、半导体器件、芯片，该半导体结构，包括焊盘以及设置于焊盘旁的立式挡坝结构；一种半导体器件，包括本公开的一个或多个实施例的半导体结构；一种芯片，包括本公开的一个或多个实施例的半导体器件；一种半导体结构的形成方法，包括如下的步骤：提供虚拟有源区；在虚拟有源区的上方进行的位线形成工艺、外围接触件制作工艺、焊盘制作工艺中的至少一个工艺中，形成设置于焊盘周围的立式挡坝结构。与现有技术相比，本公开创新地在焊盘旁设置立式挡坝结构，以降低焊盘受到的电气应力和环境应力，避免水分渗透到焊盘中，降低膜裂的可能性，进而提高半导体器件的可靠性和信赖度。