半导体结构及其形成方法和芯片的形成方法
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摘要
一种半导体结构及其形成方法和芯片及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底，所述第一基底具有第一面；与所述第一基底键合的第二基底，所述第二基底具有第二面，且所述第二面朝向所述第一面，所述第二基底内具有1层以上第二散热层，所述第二散热层用于将所述半导体结构内的热量传导至所述半导体结构外部。所述半导体结构能够提高芯片性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法和芯片的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110571206A
申请号 ：
CN201910865702.9
公开（公告）日 ：
2019-12-13
申请日 ：
2019-09-12
授权号 ：
CN110571206B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
余兴
申请人 ：
芯盟科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN201910865702.9
主分类号 ：
H01L23/373
IPC分类号 ：
H01L23/373 H01L23/367 H01L23/538 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/373
为便于冷却的器件材料选择
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-01-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/373
申请日 : 20190912
申请日 : 20190912
2019-12-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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