芯片结构与其形成方法
实质审查的生效
摘要
提供一种芯片结构。芯片结构包含基板。芯片结构包含导电线，导电线位于基板的上方。芯片结构包含第一钝化层，第一钝化层位于基板与导电线的上方。芯片结构包含导电垫，导电垫位于第一钝化层的上方并覆盖导电线。导电垫比导电线更厚且更宽。芯片结构包含第一导电贯孔结构与第二导电贯孔结构，第一导电贯孔结构与第二导电贯孔结构穿过第一钝化层并直接连接于导电垫与导电线之间。芯片结构包含导电柱，导电柱位于导电垫的上方。
基本信息
专利标题 ：
芯片结构与其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512465A
申请号 ：
CN202210001810.3
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨挺立蔡柏豪萧景文许鸿生苏昱泽
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202210001810.3
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L23/528
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20220104
申请日 : 20220104
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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