集成芯片及其形成方法和读出方法
授权
摘要
本申请的各个实施例针对绝缘体上半导体(SOI)DoP图像传感器以及用于形成SOI DoP图像传感器的方法。在一些实施例中，半导体衬底包括浮动节点和集电极区域。光电探测器位于半导体衬底中并且部分地由集电极区域限定。传输晶体管位于半导体衬底上方。集电极区域和浮动节点分别限定传输晶体管的源极/漏极区域。半导体台面位于半导体衬底上方并且与半导体衬底间隔开。读出晶体管位于半导体台面上并且由半导体台面部分地限定。半导体台面位于读出晶体管和半导体衬底之间。通孔从浮动节点延伸至读出晶体管的栅电极。本发明的实施例还涉及集成芯片及其形成方法和读出方法。
基本信息
专利标题 ：
集成芯片及其形成方法和读出方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111244118A
申请号 ：
CN201911194850.9
公开（公告）日 ：
2020-06-05
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN111244118B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
施俊吉杨敦年亚历山大·卡尔尼斯基
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201911194850.9
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2020-06-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20191128
申请日 : 20191128
2020-06-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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