集成芯片、晶体管器件及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种晶体管器件。该晶体管器件包括设置在衬底上方的多个第一源极/漏极接触件。多个栅极结构设置在多个第一源极/漏极接触件之间的衬底上方。多个栅极结构以多个闭合环路包裹多个第一源极/漏极接触件。第二源极/漏极接触件设置在多个栅极结构之间的衬底上方。第二源极/漏极接触件作为连续结构连续地包裹多个栅极结构。本发明的实施例还涉及集成芯片和晶体管器件的形成方法。
基本信息
专利标题 ：
集成芯片、晶体管器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464616A
申请号 ：
CN202110408773.3
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-04-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
奥雷利安·高迪尔·布伦蔡俊琳余俊磊陈柏智王云翔
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202110408773.3
主分类号 ：
H01L27/085
IPC分类号 ：
H01L27/085 H01L21/8252
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/085
申请日 : 20210416
申请日 : 20210416
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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